[发明专利]一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路无效
申请号: | 201310109668.5 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103197722A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 祝靖;张学永;张允武;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 214135 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路,基于传统带隙基准电压电路,设有PNP三极管Q1和Q2,PMOS管M1、M2和M3,运算放大器OP,电阻R1、R2、R3、R4;其特征在于:将上述传统的带隙基准电压电路加以改进,将去掉电阻R1、R3,在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6,R5=R6。本发明电路在电源电压和三极管Q1、Q2偏置电流均相同的条件下,输出基准电压为1V时所消耗的总静态功耗比传统结构降低了约70%。 | ||
搜索关键词: | 一种 静态 功耗 电流 模带隙 基准 电压 电路 | ||
【主权项】:
一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路,基于传统带隙基准电压电路,设有PNP三极管Q1和Q2,PMOS管M1、M2和M3,运算放大器OP,电阻R1、R2、R3、R4;PNP三极管Q1和Q2的基极和集电极均接地,PNP三极管Q1的发射极通过电阻R2与运算放大器OP的同相输入端以及PMOS管M1的漏极、电阻R1的一端连接,电阻R1另一端接地,PNP三极管Q2的发射极与运算放大器OP的反相输入端以及PMOS管M2的漏极、电阻R3的一端连接,电阻R3另一端接地,运算放大器OP的输出端与PMOS管M1、M2和M3的栅极连接,PMOS管M3的漏极通过电阻R4接地,PMOS管M1、M2和M3的源极和衬底均连接电源电压VDD,PMOS管M3的漏极输出基准电压Vref;其特征在于:将上述传统的带隙基准电压电路加以改进,去掉电阻R1、R3,在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310109668.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一体机及其实现外部设备与内置系统同时触摸的方法
- 下一篇:镜框固定装置