[发明专利]一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路无效

专利信息
申请号: 201310109668.5 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN103197722A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 祝靖;张学永;张允武;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 汤志武
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路,基于传统带隙基准电压电路,设有PNP三极管Q1和Q2,PMOS管M1、M2和M3,运算放大器OP,电阻R1、R2、R3、R4;其特征在于:将上述传统的带隙基准电压电路加以改进,将去掉电阻R1、R3,在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6,R5=R6。本发明电路在电源电压和三极管Q1、Q2偏置电流均相同的条件下,输出基准电压为1V时所消耗的总静态功耗比传统结构降低了约70%。
搜索关键词: 一种 静态 功耗 电流 模带隙 基准 电压 电路
【主权项】:
一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路,基于传统带隙基准电压电路,设有PNP三极管Q1和Q2,PMOS管M1、M2和M3,运算放大器OP,电阻R1、R2、R3、R4;PNP三极管Q1和Q2的基极和集电极均接地,PNP三极管Q1的发射极通过电阻R2与运算放大器OP的同相输入端以及PMOS管M1的漏极、电阻R1的一端连接,电阻R1另一端接地,PNP三极管Q2的发射极与运算放大器OP的反相输入端以及PMOS管M2的漏极、电阻R3的一端连接,电阻R3另一端接地,运算放大器OP的输出端与PMOS管M1、M2和M3的栅极连接,PMOS管M3的漏极通过电阻R4接地,PMOS管M1、M2和M3的源极和衬底均连接电源电压VDD,PMOS管M3的漏极输出基准电压Vref;其特征在于:将上述传统的带隙基准电压电路加以改进,去掉电阻R1、R3,在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6。
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