[发明专利]用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层有效
申请号: | 201310110156.0 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN103187455B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | S·瓦格纳;P·曼德克里克 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L51/52;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/02;C23C30/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了在表面上形成涂层的方法。该方法包括在表面上沉积包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的杂化层。该杂化层可以具有单一相或包含多个相。使用单一前体材料源通过化学气相沉积形成该杂化层。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。杂化层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如氧化硅。通过改变反应条件,可以调节聚合物材料与非聚合材料的重量%比率。该杂化层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能,例如透光性、不可渗透性和/或柔韧性。 | ||
搜索关键词: | 用于 电子器件 其它 制品 涂层 杂化层 | ||
【主权项】:
一种设置在基底表面上的有机电子器件,其中该器件包括:设置在基底上的OLED本体;和设置在OLED本体上的杂化层,该杂化层基本由聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物构成,其中对于0.1‑10μm的杂化层厚度,聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物处于单一相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的