[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201310110195.0 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN104078418B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 孟令款 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上的第一层间介质层中刻蚀形成多个第一开口；在多个第一开口中以及第一层间介质层上形成开口修饰层，开口修饰层部分填充多个第一开口形成多个第二开口；在多个第二开口中以及开口修饰层上形成第二层间介质层；平坦化第二层间介质层，停止在第一层间介质层上，露出开口修饰层；刻蚀开口修饰层，直至暴露衬底，形成多个第三开口，其中第三开口的深宽比大于第一开口的深宽比。依照本发明的半导体器件制造方法，基于传统光刻工艺的条件下制备出较大的氧化硅深孔，然后沉积氮化硅薄膜以及再次填充氧化硅，并采用独特的碳氟基气体来刻蚀去除氮化硅垫层从而得到氧化硅深孔，从而获得较高深宽比结构。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 修饰层 半导体器件制造 第一层 介质层 刻蚀 层间介质层 深宽比 氧化硅 衬底 深孔 沉积氮化硅薄膜 氮化硅垫层 填充氧化硅 高深宽比 光刻工艺 平坦化 碳氟基 去除 填充 制备 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上的第一层间介质层中刻蚀形成多个第一开口；在多个第一开口中以及第一层间介质层上形成开口修饰层，开口修饰层部分填充多个第一开口形成多个第二开口，开口修饰层的材质不同于衬底和第一层间介质层；在多个第二开口中以及开口修饰层上形成第二层间介质层；平坦化第二层间介质层，停止在第一层间介质层上，露出开口修饰层；刻蚀开口修饰层，直至暴露衬底，形成多个第三开口，其中第三开口的深宽比大于第一开口的深宽比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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