[发明专利]硅晶太阳能电池结构在审
| 申请号： | 201310110506.3 | 申请日： | 2013-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103985773A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吴德清;李立宇;杜政勋;陈秉群 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶太阳能电池结构，包括硅晶基板、位于硅晶基板的表面内的磷扩散掺杂层、位于硅晶基板的表面上的钝化层、介于钝化层与硅晶基板内的磷扩散掺杂层之间的含磷氧化层、以及位于硅晶基板的表面并穿过钝化层与含磷氧化层的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
一种硅晶太阳能电池结构，其特征在于，包括硅晶基板；磷扩散掺杂层，位于该硅晶基板的表面内;钝化层，位于该硅晶基板的该表面上；含磷氧化层，介于该硅晶基板内的该磷扩散掺杂层与该钝化层之间；以及电极，位于该硅晶基板的该表面并穿过该钝化层与该含磷氧化层，而使该电极与该硅晶基板内的该磷扩散掺磷层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
