[发明专利]一种选择性掺杂异质结太阳能电池

摘要

本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，氮化硅抗反射层嵌入槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密，提高了异质结的质量，同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻，提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成，减少了电池的制备工艺步骤，电池中杂质浓度的分布更均匀。

主权项

一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，其特征在于：所述N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，所述非晶硅层内含有从所述N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，所述非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，所述氮化硅抗反射层嵌入所述槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，所述N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。