[发明专利]用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法有效
| 申请号： | 201310110891.1 | 申请日： | 2013-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103199051A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 唐昭焕;税国华;胡刚毅;李儒章;王斌;张杨波;吴建 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧层；对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；对单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。本发明方法具有制作成本低、有源层缺陷少、有源层参数一致性好、无图形漂移等特点，可广泛用于全介质隔离互补双极工艺的制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互补 工艺 介质隔离 soi 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于，该方法步骤为：（1）在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；（2）在形成N型埋层和P型埋层的单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；（3）在单晶硅片二上生长埋氧层；（4）对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；（5）在所述SOI硅材料片上，对其单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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