[发明专利]一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法

摘要

一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法，包括：制备底电极；在底电极上淀积P+硅薄膜层；在P+硅薄膜层上淀积P-硅薄膜层；在P-硅薄膜层上淀积N-型硅薄膜层；在电极窗口处的N-型硅薄膜上进行N型杂质的重掺杂，在电极窗口处的N-型硅薄膜层上形成N+型硅薄膜；制备顶电极；淀积包围顶电极的N-型硅薄膜层；激光刻蚀P型硅薄膜通槽，在上述N型硅薄膜层两侧用激光刻蚀出连通所述P-硅薄膜层的通槽；对上述通槽继续进行硅薄膜淀积，形成包围N型硅薄膜的P-硅薄膜层。本发明提高了太阳能电池的受光面积，从而提高了电池的光电转换效率；且制备工艺与现有薄膜电池生产工艺兼容，可利用现有设备进行生产。

主权项

一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于包括如下步骤：1）制备底电极，所述底电极是通过磁控溅射铝在衬底上形成导电的铝或银薄膜；2）第一次淀积P型硅薄膜，在所述底电极上进行硅薄膜淀积，在淀积的同时进行P型杂质的重掺杂，在底电极上形成P+硅薄膜层；3）第二次淀积P型硅薄膜，在所述P+硅薄膜上继续淀积，在淀积的同时进行P型杂质的掺杂，在P+硅薄膜层上形成P‑硅薄膜层；4）第一次淀积N型硅薄膜，在所述P‑硅薄膜上继续淀积，在淀积的同时进行N型杂质的掺杂，在P‑硅薄膜层上形成N‑型硅薄膜层；5）形成欧姆接触区，将镂空有电极窗口的丝网覆盖于所述N‑型硅薄膜上，在电极窗口处的N‑ 型硅薄膜上进行N型杂质的重掺杂，在电极窗口处的N‑ 型硅薄膜层上形成N+型硅薄膜；6）制备顶电极，在上述N+型硅薄膜上进行顶电极淀积，形成顶电极，去除丝网；7）第二次淀积N型硅薄膜，在去除丝网后的N‑型硅薄膜层上及顶电极上继续硅薄膜淀积，同时进行N型杂质的掺杂，形成包围顶电极的N‑ 型硅薄膜层；8）激光刻蚀P 型硅薄膜通槽，在上述N型硅薄膜层两侧用激光刻蚀出连通所述P‑硅薄膜层的通槽；所述通槽宽度与N型硅薄膜层的宽度比为1：22～1：18；9）第三次淀积P 型硅薄膜，对上述通槽继续进行硅薄膜淀积，在淀积硅薄膜的同时进行P型杂质的掺杂，形成包围N型硅薄膜的P‑硅薄膜层；所述第一、二、三次淀积P型硅薄膜和所述第一、二次淀积N型硅薄膜都采用等离子化学增强气相沉积仪进行的淀积。