[发明专利]硫掺杂的MoO3薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310113046.X 申请日: 2013-04-02
公开(公告)号: CN103227286A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 秦平力;秦中立;余雪里;李端勇;张昱 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种硫掺杂的MoO3薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池及其制备方法,包括有氧化物透明导电衬底、阳极界面层、有机光敏活性层和金属电极,所述的阳极界面层是利用磁控溅射系统,通过改变沉积薄膜时的氩氧气氛比,将MoS2靶在氧化物透明导电衬底上沉积出含硫掺杂的MoO3薄膜。本发明的有益效果在于:不存在对ITO的腐蚀性问题,热稳定性好。相对于传统制备MoO3薄膜,用本发明制备的含硫掺杂的MoO3薄膜,减小MoO3薄膜的缺陷,尤其是表面缺陷。有利于改善阳极界面层与光敏活性层之间的界面,让空穴顺利通过阳极界面层及相关界面,达到提高电池的性能的目的。
搜索关键词: 掺杂 moo sub 薄膜 作为 阳极 界面 有机 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
硫掺杂的MoO3薄膜作为阳极界面层的有机光伏电池,包括有氧化物透明导电衬底、阳极界面层、有机光敏活性层和金属电极,所述的阳极界面层是利用磁控溅射系统,通过改变沉积薄膜时的氩氧气氛比,将MoS2靶在氧化物透明导电衬底上沉积出含硫掺杂的MoO3薄膜。
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