[发明专利]一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201310113439.0 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103685A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 曹国豪;郑大燮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构及其制作方法，该器件至少包括：第一导电类型衬底；所述第一导电类型衬底中离子注入有第二导电类型的第一深阱区；所述第一深阱区上离子注入有第二导电类型的第二深阱区，其中，所述第二深阱区的掺杂浓度大于第一深阱区的掺杂浓度；所述第二深阱区上离子注入有第一导电类型的中压阱区。本发明通过在第二导电类型的第一深阱区和第一导电类型的中压阱区之间设置第二导电类型的第二深阱区，该高浓度的第二深阱区用来隔离低浓度的第一深阱区，抑制了中压阱区/第一深阱区/衬底形成的纵向晶体管的寄生效应，降低了衬底的噪音。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 降低 纵向 寄生 晶体管 效应 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构，其特征在于，所述器件结构至少包括：第一导电类型衬底；所述第一导电类型衬底中离子注入有第二导电类型的第一深阱区；所述第一深阱区上离子注入有第二导电类型的第二深阱区，其中，所述第二深阱区的掺杂浓度大于第一深阱区的掺杂浓度；所述第二深阱区上离子注入有第一导电类型的中压阱区。
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