[发明专利]一种改善高压器件晶体管漏电的方法有效
申请号: | 201310114355.9 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN103219235A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 李健 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种改善高压器件晶体管漏电的方法。该方法包括形成高压器件晶体管的前段器件的步骤,在形成的前段器件上进行金属互连的步骤,其中进行金属互连的步骤包括BPSG沉积的步骤,在BPSG沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤,在高温退火步骤之后进行PE TEOS沉积的步骤。本发明由于在BPSG沉积步骤之后进行了高温退火步骤,可以有效去除BPSG中的水气,从而防止水气向器件中的扩散,避免了因水气的扩散而造成的器件漏电。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 高压 器件 晶体管 漏电 方法 | ||
【主权项】:
一种改善高压器件晶体管漏电的方法,其包括如下步骤:形成高压器件晶体管前段器件的步骤;对形成的器件进行金属互连的步骤,其中该金属互连的步骤包括:含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积的步骤;在含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤;在高温退火步骤之后进行等离子增强正硅酸乙酯(PE TEOS)沉积的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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