[发明专利]一种改善高压器件晶体管漏电的方法有效

专利信息
申请号: 201310114355.9 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN103219235A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 李健 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 王爱伟
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种改善高压器件晶体管漏电的方法。该方法包括形成高压器件晶体管的前段器件的步骤,在形成的前段器件上进行金属互连的步骤,其中进行金属互连的步骤包括BPSG沉积的步骤,在BPSG沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤,在高温退火步骤之后进行PE TEOS沉积的步骤。本发明由于在BPSG沉积步骤之后进行了高温退火步骤,可以有效去除BPSG中的水气,从而防止水气向器件中的扩散,避免了因水气的扩散而造成的器件漏电。
搜索关键词: 一种 改善 高压 器件 晶体管 漏电 方法
【主权项】:
一种改善高压器件晶体管漏电的方法,其包括如下步骤:形成高压器件晶体管前段器件的步骤;对形成的器件进行金属互连的步骤,其中该金属互连的步骤包括:含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积的步骤;在含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤;在高温退火步骤之后进行等离子增强正硅酸乙酯(PE TEOS)沉积的步骤。
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