[发明专利]功率半导体设备无效
| 申请号： | 201310114557.3 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103839995A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 宋寅赫;严基宙;张昌洙;朴在勋;徐东秀 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;陈潇潇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体设备。该功率半导体设备包括第二导电型第一结终端扩展（JTE）层被形成为使得该第二导电型第一JTE层与第二导电型阱层的一侧相接触；第二导电型第二JTE层，与所述第二导电型第一JTE层形成在同一直线上，并且被形成为使得该第二导电型第二JTE层在所述基底的长度方向与所述第二导电型第一JTE层相隔离；以及多晶硅层，被形成为使得与所述第二导电型阱层和所述第二导电型第一JTE层的上部相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：第一导电型漂移层，该第一导电型漂移层包括一个表面和另一个表面，并且被划分为有源区、连接区和截止区；第二导电型半导体基底，该第二导电型半导体基底形成于所述第一导电型漂移层的所述另一个表面上；第二导电型阱层，该第二导电型阱层从所述第一导电型漂移层的所述一个表面在厚度方向以预定的深度形成，并且形成在所述有源区内；第二导电型第一结终端扩展（JTE）层，该第二导电型第一JTE层被形成为使得与所述第二导电型阱层的一侧相接触；第二导电型第二JTE层，该第二导电型第二JTE层与所述第二导电型第一JTE层形成在同一直线上，并且被形成为使得该第二导电型第二JTE层在所述基底的长度方向与所述第二导电型第一JTE层相隔离；以及多晶硅层，被形成为使得该多晶硅层与所述第二导电型阱层和所述第二导电型第一JTE层的上部相接触。
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