[发明专利]保护电路模块及电池组有效
| 申请号： | 201310114649.1 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367820B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 野村真澄;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,李浩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是提供一种降低了电池组的保护电路中的电流截断用开关所使用的晶体管的泄漏电流的安全且长使用寿命的保护电路模块及电池组。本发明的一个方式是一种保护电路模块，其包括保护电路、充电控制用开关以及放电控制用开关。充电控制用开关及放电控制用开关与保护电路电连接。保护电路检测二次电池的电压并将其与预定电压进行比较，并根据上述比较结果对充电控制用开关或放电控制用开关输出控制信号，以便使充电控制用开关或放电控制用开关变为开启或关闭。充电控制用开关及放电控制用开关具有包括氧化物半导体的晶体管；以及与包括氧化物半导体的晶体管并联的二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 电路 模块 电池组 | ||
【主权项】：
一种电池组，包括：包括第一晶体管的保护电路；包括第二晶体管的充电控制用开关；以及包括第三晶体管的放电控制用开关，其中，所述充电控制用开关及所述放电控制用开关与所述保护电路电连接，所述第一晶体管包括硅，所述第二晶体管及所述第三晶体管各具有包括铟、镓和锌的氧化物半导体，所述氧化物半导体包括第一层和所述第一层上的第二层，所述第一层包括具有1nm以上且小于10nm的尺寸的纳米晶，并且所述第二层包括c轴在平行于所述第二层的表面的法线向量的方向上一致的结晶，并且，所述第二晶体管及所述第三晶体管层叠在所述第一晶体管上。
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