[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310115242.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367448B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 井口总一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在抑制接触电阻上升的同时，提高槽部的端部附近的耐压的技术。槽部(GT)设在半导体层中在俯视时至少位于源极偏移区域和漏极偏移区域之间，且设置在俯视时从源极偏移区域朝向漏极偏移区域的源极漏极方向上。栅极绝缘膜GI覆盖槽部GT的侧面及底面。栅电极(GE)至少在俯视时设在槽部(GT)内，且与栅极绝缘膜(GI)接触。接点GC与栅电极GE接触。而且，在俯视时，接点GC配置在相对于沿源极漏极方向延伸的槽部GT内的中心线来说偏离于与源极漏极方向垂直的第1方向、且在俯视时设在槽部GT内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；第1导电型的源极区域及漏极区域，所述第1导电型的源极区域及漏极区域相互隔开间隔地设置在所述半导体层上；第1导电型的源极偏移区域，所述第1导电型的源极偏移区域与所述半导体层中的所述源极区域接触，且由比所述源极区域及所述漏极区域低的浓度形成；第1导电型的漏极偏移区域，所述第1导电型的漏极偏移区域与所述半导体层中的所述漏极区域接触并与所述源极偏移区域隔开间隔地配置，且由比所述源极区域及所述漏极区域低的浓度形成；槽部，所述槽部设在所述半导体层中的俯视时至少位于所述源极偏移区域与所述漏极偏移区域之间，且在俯视时沿从所述源极偏移区域朝向所述漏极偏移区域的源极漏极方向而设置；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜覆盖所述槽部的侧面及底面；以及栅电极，所述栅电极至少设在所述槽部内，且与所述栅极绝缘膜接触，其中，所述半导体器件还包括接点，所述接点与所述栅电极接触，在俯视时相对于沿所述源极漏极方向延伸的所述槽部内的中心线在垂直于所述源极漏极方向的第1方向上偏离地配置，并且俯视时设在所述槽部内，所述栅电极仅设在所述槽部内。
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