[发明专利]非易失性存储器及其编程方法有效
| 申请号： | 201310115284.4 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104103313B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡文哲;蔡秉宏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储系统，包括一位线和与位线相关联的多个存储单元，多个存储单元与所述位线相关联，并以串联方式耦合。所述存储系统进一步包含与所述存储单元相互通信的一个控制电路，其中所述控制电路编程一个从存储单元选取的所述标靶单元，所述编程通过施加一个位线电压到位线上用来促进热载子注入到所述标靶单元。所述电路亦在热载子注入机制下施加编程电压在标靶单元上。此外，所述电路在编程所述标靶单元时施加一控制电压在与个别标靶单元相邻的相对应控制单元上，其中所述控制电压依附于所述控制单元的阈值电压并且所述控制电压小于所述编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储系统，包括：一个位线；多个与所述位线相关联的存储单元以串联方式耦合；一个控制电路与所述存储单元相互通信，其中所述控制电路编程一个从所述存储单元中选取的标靶单元，所述编程通过施加一个位线电压到位线上用来促进热载子注入到所述标靶单元，和一编程电压在热载子注入机制下施加在所述标靶单元上，和编程所述标靶单元时施加一控制电压在与所述标靶单元相邻的相对应的控制单元上，其中所述控制电压依附于所述控制单元的阈值电压并且所述控制电压小于所述编程电压；以及相邻标靶单元的一切换单元且所述切换单元在所述控制单元的另一侧，其中所述控制电路施加一切换电压于所述切换单元上用以增强热载子注入到所述标靶单元；其中所述控制电路通过两阶段编程方案来控制所述标靶单元，其中所述控制电路施加一个低控制电压，所述低控制电压大于所述控制单元的未编程阈值电压与第一阶段时所述位线电压的总和，并且施加一高控制电压，所述高控制电压大于所述控制单元的编程阈值电压和第一阶段时所述位线电压的总和。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310115284.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
