[发明专利]浆料成分、硫化物半导体膜、太阳能电池及其形成方法无效

专利信息
申请号: 201310115753.2 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN103367475A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 申请(专利权)人: 旺能光电股份有限公司
主分类号: H01L31/0264 分类号: H01L31/0264;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种浆料成分包含有一溶剂系统、多个金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一以及钠源。金属离子与金属错合物离子的至少其中之一分布于金属硫化物纳米粒子的表面上,且用于在溶剂系统中分散金属硫化物纳米粒子。钠源分散于溶剂系统中及/或包含于金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一中。金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素以及钠所构成的组合,并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
搜索关键词: 浆料 成分 硫化物 半导体 太阳能电池 及其 形成 方法
【主权项】:
一种浆料成分,其特征在于,包括:一溶剂系统;多个金属硫化物纳米粒子;金属离子与金属错合物离子的至少其中之一,其中所述金属离子与所述金属错合物离子的所述至少其中之一分布于所述金属硫化物纳米粒子的表面上,且用于在所述溶剂系统中分散所述金属硫化物纳米粒子;以及一钠源,分散于所述溶剂系统中及/或包含于所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子与所述金属错合物离子的至少其中之一中;其中所述金属硫化物纳米粒子、所述金属离子与所述金属错合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素以及钠所构成的组合,并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
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