[发明专利]电阻性存储器阵列及其操作方法在审
| 申请号： | 201310117042.9 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103680603A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 简维志;李峰旻;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻性存储器以及用于控制所述电阻性存储器的操作的方法。该电阻性存储器具有第一存储器层、第二存储器层以及介质层。第一存储器层以及第二存储器层中的每一个用于储存数据。介质层形成于第一存储器层与第二存储器层之间。所述方法包括至少以下步骤：测量第一存储器层与第二存储器层之间的电阻，以及根据所测量的电阻来判定第一状态、第二状态以及第三状态中的哪一者为电阻性存储器的状态。亦描述一种电阻性存储器阵列，其包含上述电阻性存储器单元的阵列、字线以及位线，其中字(位)线耦接至第一(第二)存储器层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻性存储器阵列，包括：多个电阻性存储器单元，其配置成列及行，其中所述电阻性存储器单元中的每一个包括第一存储器单元以及第二存储器单元，所述第二存储器单元安置于所述第一存储器单元之下且与其串联电连接；多条字线，其中所述字线中的每一个耦接至一列所述电阻性存储器单元的所述第一存储器单元；以及多条位线，其中所述位线中的每一个耦接至一行所述电阻性存储器单元的所述第二存储器单元。
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