[发明专利]低电阻率温度系数材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310118115.6 | 申请日： | 2013-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN103214246A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 蔺帅;童鹏;王铂森;孙玉平;戴建明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电阻率温度系数材料及其制备方法，采用以下任一种或多种通式所示的组分构成的反钙钛矿结构铁碳化合物结晶：通式一：Fe3Ga1-δC，式中0≤δ≤0.2；通式二：Fe3-ζGaC，式中0≤ζ≤1；通式三：Fe3Ga1-xAxC，式中A是Al、Cu、Ag、Sn和Zn中的任意一种，0≤x≤0.3。该材料的电阻率温度系数在至少30K的温区范围内随温度几乎恒定不变(≤2.5×10-5/K)，可广泛应用于高精度电子设备，微电子电路，高功率防浪涌电阻和各种功能传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 温度 系数 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低电阻率温度系数材料，其特征在于，包括由以下任一种或多种通式所示的组分构成的反钙钛矿结构铁碳化合物结晶：通式一：Fe3Ga1‑δC，式中0≤δ≤0.2；通式二：Fe3‑ζGaC，式中0≤ζ≤1；通式三：Fe3Ga1‑xAxC，式中A是Al、Cu、Ag、Sn和Zn中的任意一种，0≤x≤0.3。
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