[发明专利]用于荧光检测的双结深光电二极管

摘要

基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,由半导体硅P型衬底和N型阱构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入和所述N型阱构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底通过P型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出，所述N型阱通过N型源漏注入形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔引出。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,其特征在于：包括由半导体硅P型衬底（1）和N型阱（2）构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入（4）和所述N型阱（2）构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底（1）为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱（2）为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入（4）为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱（2）为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底（1）通过P型源漏注入（5）形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔（6）引出，所述N型阱（2）通过N型源漏注入（3）形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔（8）引出，所述P型源漏注入（4）通过接触孔（7）引出，所述金属接触孔（7、8、9）位于半导体绝缘层（9）中，所述深结PN结光电二极管和所述浅结PN结光电二极管共用所述N型阱（2）构成双结深PN结光电二极管的阴极，所述深结PN结光电二极管阳极和所述浅结PN结光电二极管阳极并联构成双结深PN结光电二极管的阳极。