[发明专利]改善应力释放和载流子存储的发光二极管浅阱生长方法无效
| 申请号： | 201310118837.1 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103219438A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋利民;郭丽彬;李刚;吴礼清;杨奎 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种改善应力释放和载流子存储的发光二极管浅阱生长方法，在Si掺N型GaN层上生长由5～12个周期的InxGa1-XN(0.04 | ||
| 搜索关键词： | 改善 应力 释放 载流子 存储 发光二极管 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种改善应力释放和载流子存储的发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、未掺杂的高温GaN缓冲层、Si掺N型GaN层、低温浅量子阱、低温多量子阱发光层、低温P型GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层；所述浅量子阱由5～12个周期的InxGa1‑XN(0.04
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