[发明专利]石墨烯散热片的制备方法无效
| 申请号： | 201310118977.9 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103219250A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 刘建影 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯散热片的制备及转移技术。首先，使用电子束蒸发法在二氧化硅表面沉积铜层；随后，通过化学气相沉积方法在二氧化硅表面的铜层上生长石墨烯，通过转移技术，将石墨烯转移到目标芯片上。从而得到具有极高的比表面积、高热导率和热稳定性、高弹性、清洁超薄的散热材料。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 散热片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯散热片的制备方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：（a）通过常规电子束蒸发法，在二氧化硅表面沉积一层1微米厚的铜，铜的纯度为99.9%；（b）将乙炔、氢气和氩气通入爱思强Black Magic沉积系统反应室中，于900摄氏度下反应5‑10分钟，通过化学气相沉积法在二氧化硅的表面生长石墨烯；乙炔和氢气的流量比为1：2到1：4，乙炔的流量为5~10标准立方厘米每分钟（sccm）；（c）经过冷却处理之后，在铜层上旋涂一层300nm聚甲基丙烯酸甲酯；（d）使用30%质量浓度的三氯化铁侵蚀铜20分钟；（e）将旋涂有聚甲基丙烯酸甲酯的石墨烯转移到目标芯片上；（f）用丙酮去除聚甲基丙烯酸甲酯，最终制得石墨烯散热片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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