[发明专利]三维集成电路横向散热有效
| 申请号： | 201310119417.5 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103219328B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 肯尼斯·卡斯考恩;顾士群;马修·M·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及三维集成电路横向散热。通过用热传导材料（320）填充堆叠的IC装置的层（31、32）之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔（331）构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置（310）的散热。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 横向 散热 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路(IC)装置，包括：堆叠在第二裸片上的第一裸片，所述第一裸片和所述第二裸片中每一裸片都包含有源面和衬底，所述第一裸片在周长上大于所述第二裸片；所述第一裸片和所述第二裸片的所述有源面通过多个层到层的电连接耦合起来，所述层到层的电连接在所述第一裸片和所述第二裸片的所述有源面之间造成了间隙；填充了第一热传导材料的穿衬底通孔，所述穿衬底通孔安置在所述第一裸片中；以及所述第一裸片包括位于所述间隙内的热传导层体，其中，所述第一裸片进一步包括包含两个裸片的层以及位于所述层的所述两个裸片的所述有源面之间的热传导材料。
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