[发明专利]具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的横向绝缘栅极双极型晶体管结构

摘要

本发明提供了一种具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的金属氧化物半导体横向扩散器件(HV LDMOS)，尤其是横向绝缘栅极双极结型晶体管(LIGBT)及其形成方法。该器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底，其具有漂移区域、漂移区域中的两个相反掺杂的阱区域、位于漂移区域和第二阱区域上方并嵌入其中的两个绝缘结构、栅极结构以及源极区域，该源极区域处在第二阱区域中且位于嵌在第二阱区域中的第三阱区域上方。第三阱区域设置在栅极结构和第二绝缘结构之间。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有绝缘体层和位于所述绝缘体层上方的硅层；以及晶体管区域，位于所述半导体衬底上方，所述晶体管区域包括：漂移区域，具有第一导电类型并位于所述绝缘体层上方；第一阱区域，位于所述漂移区域中并具有所述第一导电类型；第二阱区域，位于所述漂移区域中并具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一绝缘结构，位于所述第一阱区域和所述第二阱区域之间的所述漂移区域上方并且部分地嵌入所述漂移区域；第二绝缘结构，位于所述第二阱区域上方并且部分地嵌入所述第二阱区域；栅极结构，位于所述第一绝缘结构上方并且部分地位于所述第二阱区域上方；漏极区域，位于所述第一阱区域中；源极区域，位于所述第二绝缘结构和所述栅极结构之间的所述第二阱区域中，所述源极区域包括具有所述第二导电类型的第一源极区域和具有所述第一导电类型的第二源极区域，所述第二源极区域部分地设置在所述栅极结构的一部分之下；和第三阱区域，位于所述第二阱区域内并设置在所述源极区域的下方，所述第三阱区域以高于所述第二阱区域的剂量具有所述第二导电类型并且不被设置在所述栅极结构的下方。