[发明专利]基于氮化镓生长半导体异质结构的方法有效
| 申请号： | 201310119866.X | 申请日： | 2007-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103215648A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫;诺姆·佩托维奇·索西沁;瓦列里·佩托维奇·苏切科夫;尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫;弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫;塞尔盖·亚历克桑德诺维奇·萨克哈若夫;弗拉季米尔·亚历克桑德诺维奇·戈比列夫 | 申请（专利权）人： | 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫;首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;B82Y20/00;H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张云珠;韩明花 |
| 地址： | 俄罗斯*** | 国省代码： | 俄罗斯;RU |
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| 摘要： | 本发明是基于氮化镓生长半导体异质结构的方法。提供了一种基于III族氮化物元素的化合物和合金生长用于发光二极管的外延异质结构的方法，所述方法包括在硅酸镓镧基底上利用气相沉积生长由式子AlxGa1-xN表示的一层或多层异质结构层的步骤，其中，0≤x≤1，其中，硅酸镓镧基底用Ce和Pr进行掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 生长 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基于III族氮化物元素的化合物和合金生长用于发光二极管的外延异质结构的方法，所述方法包括：在硅酸镓镧基底上利用气相沉积生长由式子AlxGa1‑xN表示的一层或多层异质结构层的步骤，其中，0≤x≤1，其中，硅酸镓镧基底用Ce和Pr进行掺杂。
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