[发明专利]湿式连续生产软体铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法无效
申请号: | 201310120518.4 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN104103710A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 郭玉钦;杨凌云;郭洪涛;杨子傲;郭嘉鹤 | 申请(专利权)人: | 郭玉钦 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 471000 河南省洛阳市西*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种“湿式连续生产软体铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件”的制备方法,其特征在于:它是依次在软体衬底带材(2),上喷塗纳米石墨碳液浆制备为下电极膜,喷塗CIGS纳米液浆制备吸收膜并用InS或ZnS材料替代CdS制备缓冲层并滅掉了硒化工段。从而避免了连续生产软体铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件系统能耗量较大,制造四元靶材难度大,镀膜硒化后造成结晶之均匀度难以控制,硒化过程成本高、时间长又剧毒、缓冲层CdS含镉,环境污染问题等的币端。实现了系统制造耗能量低,备制工艺简单,去消了镉,硒化污染环境源,提高了转化率,降低了生产成本的目的。 | ||
搜索关键词: | 连续生产 软体 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种湿式连续生产软体铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法;其特征在于;它是卷绕在前置涨力卷绕机1,上面的不锈钢箔,或特制塑胶及适用的软体带材2,在清洗室6,经超声波清洗机5,清洗干净油污后进入制绒打毛烘干室8,由衬底制绒打毛装置7,在软体带材衬底上均匀制绒打毛后进入制备石墨碳膜室9,由纳米碳浆喷塗装置10,喷塗由纳米石墨碳粉和空化水合成的适度液浆,制备为均厚度的膜层,进入烘干石墨化室11,烘干固化为固体下电极导电膜;应用激光切割装置12,按设定位置横向第一次切割微缝为条状,切割深度至软体带材2,的上表面层,其目的是将下电极切断,分割成设定的单元段;连续再进入喷塗CIGS膜真空室13,由纳米CIGS膜喷塗装置14,均匀喷塗按配方配制的Cu,In,Ga,Se四元素纳米粉和空化水搅拌均匀合成的适度液浆,制备为均厚度的膜层再进入真空烘干室15,进行排水烘干后进入热处理结晶室16,在设定的温度气氛下进行热处理结晶工况,使其膜在设定温度和时间内改变其内部金相组织为坚硬固体结晶态的铜铟镓硒CuInGaSe2薄膜;再进入冷却室17,冷却止200度以下,进入磁控溅射真空室19,由InS或ZnS靶材溅射装置18,在其上表面,采用濺射法濺射缓冲层膜;然后向后移动设定的位置和第一次切割微缝平行方向,用激光切割装置20,第二次切割微缝为条状,其目的是将铜铟镓硒CuInGaSe2薄膜和InS或Zn S缓冲层膜切断,深度至下电极上表面为止;相继进入溅射真空室22,应用溅射i‑Zno异质结窗口层膜装置21,采用磁控濺射法濺射i‑Zno异质结层,再进入溅射真空室24,用溅射A‑Zno透明导电膜靶材溅射 装置23,制备透明导电上电极膜层并在其上电极膜层微缝上表面,印刷导电金属柵极25,后,再铺设并真空热压EVA透明保护膜27,;继续向后移动设定的位的位置和第二次切割微缝平行方向,用激光切割装置26,,第三次切割微缝为条状,其目的是将EVA透明保护膜,A‑Zno透明导电上电极膜,InS或ZnS缓冲层和膜铜铟镓硒CuInGaSe2薄膜切断,深度到下电极上表面为止;再用,超声波焊接金属网线装置28焊接金属网线,正理装置29,串联或并联接成适用电压后用导线引出即完成了成品软体铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件30制备程序;成品带卷用后置涨力卷绕机31,卷成卷材的制备方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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