[发明专利]一种聚偏氟乙烯压电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201310120612.X | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN104098859B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 杨桂生;李袅 | 申请(专利权)人: | 合肥杰事杰新材料股份有限公司 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08K3/38;C08K5/57;C08K5/098;C08J5/18 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人: | 金凯 |
地址: | 230601 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种聚偏氟乙烯压电薄膜及其制备方法,属于聚偏氟乙烯改性领域。该聚偏氟乙烯压电薄膜配方包括以下组份聚偏氟乙烯树脂100份、电气石粉10~30份以及热稳定剂0~3份。本发明大幅提高了聚偏氟乙烯薄膜的压电性,同时采用的倒相法制备湿法膜操作工艺简单、连续性强,所制备的薄膜材料性能优越,适于大规模工业化生产。本发明创新性的采用微米尺度的电气石粉改性聚偏氟乙烯薄膜,较改性前相比具有较高的压电常数和力学强度,同时削减近三分之一的成本,适于大规模工业生产及应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚偏氟 乙烯 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种聚偏氟乙烯压电薄膜,其特征在于,由以下重量份的组分制成:聚偏氟乙烯树脂100份电气石粉10~30份热稳定剂0~3份;所述的电气石粉为无色或黑色粉末状,粒度为3000~7000目,莫氏硬度7~7.5。
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