[发明专利]具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310120650.5 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103531479B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 赵兴在;金泰润 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括形成掩埋有多个掩埋位线的多个半导体本体线，所述多个半导体本体线由多个沟槽分隔开；形成填充所述多个沟槽中的每个沟槽的填充层；在所述多个半导体本体线和填充层上形成导电层；以及通过刻蚀导电层，在所述多个半导体本体线上形成多个半导体柱体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成由多个沟槽分隔开的多个半导体本体线，在所述多个半导体本体线中掩埋有多个掩埋位线；形成填充所述多个沟槽中的每个沟槽的填充层；在所述多个半导体本体线和所述填充层之上形成导电层；以及通过刻蚀所述导电层，在所述多个半导体本体线之上形成多个半导体柱体，其中，通过热工艺使所述多个半导体本体线的上部流动，来形成所述填充层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310120650.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：对于动态语言的散列表的硬件支持
- 下一篇：静电油墨组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
