[发明专利]保护二极管有效
| 申请号： | 201310120769.2 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367402A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 藤田光一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到能够实现高输出的保护二极管。本发明的保护二极管，在P++型硅衬底（3）上横向排列地设有N型阱层（5）、P+型栅极侧扩散层（6）以及P型接地侧扩散层（7）。P+型栅极侧扩散层（6）与N型阱层（5）接合。P型接地侧扩散层（7）与P+型栅极侧扩散层（6）分离，与N型阱层（5）接合。栅极侧电极（9）连接在MOSFET（1）的栅极与P+型栅极侧扩散层（6）之间。接地电极（10）与P型接地侧扩散层（7）连接。P型接地侧扩散层（7）的杂质浓度比P+型栅极侧扩散层（6）更低。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 二极管 | ||
【主权项】：
一种保护二极管，其特征在于，具备：半导体衬底；第1导电型的阱层，设在所述半导体衬底上；第2导电型的栅极侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述阱层接合；第2导电型的接地侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧扩散层分离，与所述阱层接合；栅极侧电极，连接在晶体管的栅极与所述栅极侧扩散层之间；以及接地电极，与所述接地侧扩散层连接，所述接地侧扩散层的杂质浓度比所述栅极侧扩散层更低。
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