[发明专利]一种降低电子耳蜗功耗的方法

摘要

本发明公开了一种降低电子耳蜗功耗的方法，其特点是该方法在体外语音处理器的射频发射电路上连接由PMOS管与NMOS管组成的发射电流控制开关，然后由电子耳蜗植入受体的头皮厚度估算电子耳蜗发射和接收线圈的耦合距离，微调体外语音处理器的发射电流，实现发射功率的精确控制，使体外语音处理器在最小的功耗下达到最佳的听觉效果。本发明与现有技术相比具有精确控制发射芯片的输出功率，减少无用功率，使体外语音处理器在最小的功耗下达到最佳的听觉效果，提高体外语音处理器一次充电的有效工作时间，降低系统功耗，提高系统性能，优化系统设置，确保在不同耦合距离下都能够保持最优的耦合效率。

主权项

一种降低电子耳蜗功耗的方法，其特征在于该方法在体外语音处理器的射频发射电路上连接由PMOS管P1、P2、P3、P4与NMOS管N1、N2、N3、N4一一对应串接构成CW0~CW3四级可调的发射电流控制开关，实现发射功率的控制，然后由电子耳蜗植入受体的头皮厚度估算电子耳蜗发射和接收线圈的耦合距离，微调体外语音处理器CW0~CW3四级的发射电流，实现发射功率的精确控制，使体外语音处理器在最小的功耗下达到最佳的听觉效果；所述PMOS管P1、P2、P3、P4与NMOS管N1、N2、N3、N4一 一对应串接为：PMOS管P1栅极与NMOS管N1栅极连接为CW0控制端，PMOS管P1漏极与NMOS管N1源极连接；PMOS管P2栅极与NMOS管N2栅极连接为CW1控制端，PMOS管P2漏极与NMOS管N2源极连接；PMOS管P3栅极与NMOS管N3栅极连接为CW2控制端，PMOS管P3漏极与NMOS管N3源极连接；PMOS管P4栅极与NMOS管N4栅极连接为CW3控制端，PMOS管P4漏极与NMOS管N4源极连接；PMOS管P1、P2、P3、P4源极并接为TVDD电源端；NMOS管N1、N2、N3、N4漏极并接为TVSS接地端；PMOS管P1、P2、P3、P4漏极与NMOS管N1、N2、N3、N4源极并接为OUT输出端；CW0、CW1、CW2和CW3控制端与OUT输出端构成四级可调的发射电流控制。