[发明专利]纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法无效
申请号: | 201310121413.0 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN103219411A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 陈燕坤;韩伟华;洪文婷;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法,其中太阳能电池,包括:一P型硅基材料薄膜;一N+型硅纳米孔二维阵列层,其制作在P型硅基材料薄膜的上表面,该N+型硅纳米孔二维阵列层上有纳米孔;Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极,该Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极为条状,其间隔交叉地制作在N+型硅纳米孔二维阵列层的表面,并覆盖部分纳米孔;一P+型背电极接触层,其制作在P型硅基材料薄膜的下表面;一钝化层,其制作在P+型背电极接触层的表面,该钝化层形成有条形窗口区;Al金属欧姆电极,其制作在钝化层条形窗口区内;一金属颗粒层,其制作在钝化层的表面。本发明可以提高太阳能电池的光吸收和光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 纳米 金属 颗粒 复合 结构 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池,包括:一P型硅基材料薄膜;一N+型硅纳米孔二维阵列层,其制作在P型硅基材料薄膜的上表面,该N+型硅纳米孔二维阵列层上有纳米孔;Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极,该Ti/Pd/Ag条形欧姆金属电极为条状,其间隔交叉地制作在N+型硅纳米孔二维阵列层的表面,并覆盖部分纳米孔;一P+型背电极接触层,其制作在P型硅基材料薄膜的下表面;一钝化层,其制作在P+型背电极接触层的表面,该钝化层形成有条形窗口区;Al金属欧姆电极,其制作在钝化层条形窗口区内;一金属颗粒层,其制作在钝化层的表面。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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