[发明专利]低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法

摘要

一种低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法，第一步：掺杂BaTiO3烧块的合成；第二步：Tc移动剂烧块的合成；第三步：瓷料制造。本发明采用工业级或电子一级TiO2代替价高的高纯TiO2，采用合成掺杂一步法的新工艺替代传统工艺，实现了瓷料生产成本的大幅度降低，而且瓷料性能完全满足要求。此外，采用多种掺杂稀土元素替代价高的氧化钕稀土元素，使生产成本更进一步降低，而且瓷料性能也有显著的提高。

主权项

一种低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法，其特征是：第一步：掺杂BaTi O3烧块的合成；首先按BaCO3 65‑78 Wt%，工业级或电子一级TiO2 20‑30 Wt%，La系稀土2‑5 Wt%配比原料；然后将配好的原料混合球磨3‑4小时，砂磨细化4‑5小时后煅烧合成掺杂BaTi O3烧块，合成温度及保温时间为1240±5℃/2H，再将高温合成的掺杂BaTi O3烧块粉碎过筛，最后对粉碎过筛后的烧块进行检测；第二步：Tc移动剂烧块的合成；首先按Nd2O3 55‑61 Wt%，ZrO2 27‑33 Wt% ，SnO2 8‑14 Wt%， MnCO3 1‑3 Wt%配比原料；然后将配好的原料混合球磨3‑4小时后压滤，将过滤后的原料煅烧合成Tc移动剂烧块，合成温度及保温时间为1200±5℃/2H，再将高温合成的Tc移动剂烧块粉碎过筛，最后对粉碎过筛后的烧块进行检测；第三步：瓷料制造；首先按掺杂BaTi O3烧块99‑99.7Wt%，Tc移动剂烧块0.3‑1.0Wt%配比原料；然后将配好的原料混合球磨3‑4小时，砂磨细化4‑5小时后干燥、粉碎、过筛得到瓷料，最后对瓷料进行电性能检测。