[发明专利]非易失性存储器件的编程方法有效
| 申请号： | 201310122557.8 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103680624B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 金泰均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括多个存储串，每个存储串包括串联连接在公共源极线与位线之间的源极选择晶体管、多个存储器单元以及漏极选择晶体管。所述编程方法包括以下步骤：在将未选中的存储串的多个存储器单元的沟道浮置的第一时段期间，将第一电压施加到公共源极线；以及在将选中的存储器单元编程的第二时段期间，当选中的字线属于与公共源极线相邻的字线组时，将增大得大于第一电压的第二电压施加到公共源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 公共源极线 非易失性存储器件 编程 存储器单元 存储 电压施加 源极选择晶体管 选择晶体管 字线组 浮置 沟道 漏极 位线 字线 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括多个存储串，每个存储串包括串联连接在公共源极线与位线之间的源极选择晶体管、多个存储器单元以及漏极选择晶体管，所述编程方法包括以下步骤：在将未选中的存储串的多个存储器单元的沟道浮置的第一时段期间，将第一电压施加到所述公共源极线；以及在将所述多个存储器单元的选中的存储器单元编程的第二时段期间，当选中的字线属于与所述公共源极线相邻的字线组时，将比所述第一电压大的第二电压施加到所述公共源极线，其中，所述第二时段包括：将通过电压施加到所述选中的字线的通过电压施加时段，以及将编程电压施加到所述选中的字线的编程电压施加时段，并且其中，在所述编程电压施加时段期间将所述第二电压施加到所述公共源极线。
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