[发明专利]一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310122650.9 申请日: 2013-04-10
公开(公告)号: CN103219425A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 贾锐;杨勇洲;陈晨;金智;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法,包括:清洗硅衬底;在硅衬底表面制备超小绒面;对硅衬底进行淡磷扩散;在淡磷扩散后的硅衬底表面沉积一层Si3N4减反射膜;对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀,形成栅线电极的沟槽;对激光烧蚀区进行清洗,除去激光烧蚀区堆积物及激光烧蚀时造成的损伤层;对激光烧蚀区进行二次浓磷扩散;以及丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极。本发明制备的电极结构,具有超低的遮光率和高效的陷光能力,应用在晶硅太阳电池上,电流密度高,可增加对基区光生电子的收集,降低浓磷区电阻功耗和栅线电极与衬底的接触电阻功耗,提高了电池的开路电压。
搜索关键词: 一种 用于 超小绒面 高效 太阳电池 电极 结构 制备 方法
【主权项】:
一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法,其特征在于,包括:清洗硅衬底;在硅衬底表面制备超小绒面;从制备有超小绒面的硅衬底表面对硅衬底进行淡磷扩散;在淡磷扩散后的硅衬底表面沉积一层Si3N4减反射膜;利用激光烧蚀方法对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀,形成栅线电极的沟槽;利用化学清洗方法对激光烧蚀区进行清洗,除去激光烧蚀区堆积物及激光烧蚀时造成的损伤层;对激光烧蚀区进行二次浓磷扩散;以及丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极。
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