[发明专利]一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法无效
申请号: | 201310122650.9 | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN103219425A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 贾锐;杨勇洲;陈晨;金智;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法,包括:清洗硅衬底;在硅衬底表面制备超小绒面;对硅衬底进行淡磷扩散;在淡磷扩散后的硅衬底表面沉积一层Si3N4减反射膜;对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀,形成栅线电极的沟槽;对激光烧蚀区进行清洗,除去激光烧蚀区堆积物及激光烧蚀时造成的损伤层;对激光烧蚀区进行二次浓磷扩散;以及丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极。本发明制备的电极结构,具有超低的遮光率和高效的陷光能力,应用在晶硅太阳电池上,电流密度高,可增加对基区光生电子的收集,降低浓磷区电阻功耗和栅线电极与衬底的接触电阻功耗,提高了电池的开路电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 超小绒面 高效 太阳电池 电极 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于超小绒面高效太阳电池的电极结构的制备方法,其特征在于,包括:清洗硅衬底;在硅衬底表面制备超小绒面;从制备有超小绒面的硅衬底表面对硅衬底进行淡磷扩散;在淡磷扩散后的硅衬底表面沉积一层Si3N4减反射膜;利用激光烧蚀方法对硅衬底表面的超小绒面进行激光烧蚀,形成栅线电极的沟槽;利用化学清洗方法对激光烧蚀区进行清洗,除去激光烧蚀区堆积物及激光烧蚀时造成的损伤层;对激光烧蚀区进行二次浓磷扩散;以及丝网印刷机在激光烧蚀区内采用精确对准方式印刷栅线电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的