[发明专利]一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201310122729.1 | 申请日： | 2013-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103219413A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;乔秀梅;丁武昌;陈晨;崔冬萌;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：单晶硅衬底及形成于该单晶硅衬底上的p型或n型硅纳米柱；在该单晶硅衬底及该p型或n型硅纳米柱上依次形成的钝化膜、与硅纳米柱反型的非晶硅薄膜、石墨烯和TCO膜；在该TCO膜上制作的金属栅电极；以及在该单晶硅衬底背面制作的背电极。本发明综合了径向结电池和异质结电池的优点，利用异质结电池的高效率和低温工艺，间接降低了生产成本，同时径向结有效提高了光的吸收利用，提高光生载流子的收集效率，从而有效地提高电池的效率，同时利用异质结的低温工艺，制备工艺简单，温度稳定性好，适合于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 径向 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯径向异质结太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅衬底及形成于该单晶硅衬底上的p型或n型硅纳米柱；在该单晶硅衬底及该p型或n型硅纳米柱上依次形成的钝化膜、与硅纳米柱反型的非晶硅薄膜、石墨烯和TCO膜；在该TCO膜上制作的金属栅电极；以及在该单晶硅衬底背面制作的背电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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