[发明专利]一种超小绒面太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 201310122736.1 | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN103219426A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 贾锐;窦丙飞;陈晨;金智;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种超小绒面太阳电池及其制备方法,该方法包括:清洗硅衬底;在硅衬底表面生长金属镍薄膜;对表面具有金属镍薄膜的硅衬底进行退火,使得金属镍薄膜形成密集排列的镍纳米颗粒;将形成镍纳米颗粒的硅衬底放入HF/H2O2混合溶液中腐蚀,形成超小绒面,并清洗去除镍纳米颗粒;对具有超小绒面的硅衬底进行扩散、清洗和刻边,在超小绒面之下的硅衬底内部形成PN结;在硅衬底具有超小绒面的表面依次生长氧化硅和氮化硅,形成叠层钝化;采用丝网印刷来完成前后电极的制作。本发明采用镍作为诱导金属,代替传统的金、银、铂等贵重金属,极大地降低了成本,镍相对容易去除,同时在硅中造成的杂质复合影响小于银等重金属,有利于提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 超小绒面 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种制备超小绒面太阳电池的方法,其特征在于,包括:清洗硅衬底;在硅衬底表面生长金属镍薄膜;对表面具有金属镍薄膜的硅衬底进行退火,使得金属镍薄膜形成密集排列的镍纳米颗粒;将形成镍纳米颗粒的硅衬底放入HF/H2O2混合溶液中腐蚀,形成超小绒面,并清洗去除镍纳米颗粒;对具有超小绒面的硅衬底进行扩散、清洗和刻边,在超小绒面之下的硅衬底内部形成PN结;在硅衬底具有超小绒面的表面依次生长氧化硅和氮化硅,形成叠层钝化;以及采用丝网印刷来完成前后电极的制作,最后烧结完成电池制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的