[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括在衬底上形成第一栅极、位于第一栅极上的第一硬掩模层、位于第一栅极周围的第一侧墙、第二栅极、位于第二栅极上的第二硬掩模层、位于第二栅极周围的第二侧墙，第一栅极的栅长大于第二栅极的栅长；去除第一侧墙、第二侧墙，在该过程中，第一硬掩模层和第二硬掩模层遭到损耗，剩余第一硬掩模层的厚度大于剩余第二硬掩模层的厚度；形成层间介质层；去除高出剩余第二硬掩模层的层间介质层；刻蚀去除剩余第一硬掩模层和剩余第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层相比于层间介质层、第一栅极和第二栅极具有高刻蚀选择比；去除高出第一栅极和第二栅极的层间介质层。最终形成的半导体器件性能稳定、可靠。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一栅极、位于第一栅极上的第一硬掩模层、位于第一栅极周围的第一侧墙、第二栅极、位于第二栅极上的第二硬掩模层、位于第二栅极周围的第二侧墙，第一栅极的栅长大于第二栅极的栅长；使用应力接近技术去除第一侧墙、第二侧墙，在去除第一侧墙、第二侧墙过程中，第一硬掩模层和第二硬掩模层遭到损耗，剩余第一硬掩模层的厚度大于剩余第二硬掩模层的厚度；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述衬底、第一栅极、第二栅极、剩余第一硬掩模层和剩余第二硬掩模层；去除高出所述剩余第二硬掩模层的层间介质层；在去除高出所述剩余第二硬掩模层的层间介质层后，刻蚀去除剩余第一硬掩模层和剩余第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层相比于层间介质层、第一栅极和第二栅极具有高刻蚀选择比，在刻蚀去除剩余第一硬掩模层和剩余第二硬掩模层时，不会损伤层间介质层、第一栅极和第二栅极；刻蚀去除剩余第一硬掩模层和剩余第二硬掩模层后，去除高出第一栅极和第二栅极的层间介质层。