[发明专利]一种MEMS空腔刻蚀工艺中控制各向同性和各向异性深度的方法在审
| 申请号： | 201310124886.6 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104098064A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 章安娜 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS空腔刻蚀工艺中控制各向同性和各向异性深度的方法，其包括将MEMS空腔刻蚀工艺分解成各向异性刻蚀步骤、聚合物淀积步骤、底部聚合物轰击的步骤以及各向同性刻蚀的步骤，对各步骤的气体流量、气体比例、时间进行分析，确定各步骤的时间比例，定义出刻蚀不同CD尺寸时，每步菜单参数的设置，本发明的方法能够在工艺开发之前提供合理的工艺菜单，减少开发时间，而且得到良好的刻蚀形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 空腔 刻蚀 工艺 控制 各向同性 各向异性 深度 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS空腔刻蚀工艺中控制各向同性和各向异性深度的方法，其包括：步骤1：对硅片进行各向异性刻蚀形成开孔；步骤2：对经过步骤1各向异性刻蚀后的硅片的开孔淀积聚合物，在开孔的侧壁和底部形成保护层；步骤3：对步骤2淀积的聚合物进行轰击，轰击掉开孔底部的淀积聚合物；步骤4：对步骤3轰击掉底部聚合物的开孔进行各向同性刻蚀，形成空腔；其中步骤1与步骤2的时间比例为1：3，步骤2与步骤3的时间比例为3：1，步骤1与步骤4的时间比例通过工艺要求的各向同性和各向异性深度的比例调整。
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