[发明专利]一种含左手材料的LED 反光镜晶体及制备方法有效
申请号: | 201310125820.9 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN103227262A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 云峰;赵宇坤 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 朱海临 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种含左手材料的LED反光镜晶体及制备方法。结构特点包括:(1)反光镜底部为一层电流扩散层;(2)反光镜结构为一层右手材料和一层左手材料交替排列;(3)左手材料层中的空隙为渔网结构,并且填充固态增益材料,以减小损耗,增强左手材料的性能;(4)反光镜的基底材质为导电金属。制备工艺方面将电子束刻蚀、电子束蒸镀、干法刻蚀(ICP、RIE)这些精度较高的工艺结合起来制备该LED反光镜,以提高反光镜的性能。本发明LED反光镜晶体由于是左手材料和右手材料交替叠落的光子晶体结构,可以降低光强损耗,提高反射效率,从而提高LED的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 左手 材料 led 反光镜 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种含左手材料的LED反光镜晶体:从上至下依次包括n‑GaN层、多量子阱有源层、p‑GaN层,其特征在于,在p‑GaN层下面设置一电流扩散层,该电流扩散层下面设置不少于三层的导电金属层,最后一层导电金属层的下面设置一键合金属层,其中,各导电金属层结合面上设置有矩形腔排布的阵列,所有矩形腔中填充固态增益材料,形成左手材料区域A,同一导电金属层中没有矩形腔阵列的平面区域为右手材料区域B,左手材料区域A与右手材料区域B交替叠落;所述各矩形腔周长为120~600nm;阵列的单位距离L1、L2不超过250nm。
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