[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201310125957.4 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208457A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 石丸敏之;竹尾建治;高桥了 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/71;H01L27/146;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宋海宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：通过在半导体衬底的第一表面上形成第一对准标记槽和第二对准标记槽、并对这些槽填充与半导体衬底不同的材料，形成第一对准标记和第二对准标记；利用第一对准标记对准以在第一表面上形成第一元件；将支撑衬底与第一表面接合；围绕预定轴将支撑衬底与半导体衬底的接合结构反转、并从半导体衬底的第二表面侧对半导体衬底削薄一直到至少获得如下厚度，以该厚度能够通过从半导体衬底的第二表面侧施加对准光而获得的反射光来检测第二对准标记的位置；以及使用第二对准标记对准以在第二表面上形成第二元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括步骤：通过在半导体衬底的第一表面上形成第一对准标记槽和第二对准标记槽、并对这些槽填充与半导体衬底不同的材料，形成第一对准标记和第二对准标记；利用第一对准标记进行对准以在半导体衬底的第一表面上形成第一元件；将支撑衬底与半导体衬底的第一表面接合；围绕预定轴将所述支撑衬底与所述半导体衬底的接合结构反转、并从半导体衬底的第二表面侧对半导体衬底削薄一直到至少获得如下厚度，以该厚度能够通过从半导体衬底的第二表面侧施加对准光而获得的反射光来检测第二对准标记的位置；以及利用第二对准标记进行对准以在半导体衬底的第二表面上形成第二元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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