[发明专利]一种多铁材料铁酸铽p-n异质结、制备方法及用途无效
| 申请号： | 201310126196.4 | 申请日： | 2013-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103199105A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李培刚;李文丽;王顺利;沈静琴;钱惠琴;唐为华 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/861;H01L21/363;C30B29/22;C30B29/24;C30B29/32;C30B23/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人： | 陈小良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多铁材料p-n异质结及其制备方法，具体是指具有正向二极管整流特性的铁酸铽(TbFeO3)的p-n异质结及其制备方法。本发明中该异质结由p型多铁材料TbFeO3和n型半导体材料掺铌的硅片n-Si构成，其制备方法是通过固相烧结法制备TbFeO3靶材，然后对衬底清洗，再射频磁控溅射沉积薄膜，最后进行沉积，并关闭加热器使衬底自然降至室温，即可制得铁酸铽p-n异质结。本发明的优点是异质结结构简单，且制备方法简单、可重复性好，制备的产品具有良好的二极管正向整流特性等。本发明的产品在室温下具有良好的二极管正向整流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 铁酸铽 异质结 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种多铁材料铁酸铽p‑n异质结，其特征在于：该p‑n异质结由p型半导体材料铁酸铽TbFeO3和n型半导体材料掺铌的硅片n‑Si构成。
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