[发明专利]反应固相生长制备高性能压电陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201310126506.2 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103172377A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 方必军;钱昆;丁建宁;罗豪甦 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于功能材料制备技术领域；通过反应固相生长工艺制备单晶化或织构化无铅压电陶瓷，达到省略预合成过程、抑制焦绿石相形成、增加陶瓷致密度、改善电学性能，同时解决压电单晶生长困难、成本高、周期长的问题；获得具有较高的致密度和良好的电学性能的(K,Na)NbO3（NKN）基无铅压电陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 相生 制备 性能 压电 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
反应固相生长制备高性能压电陶瓷的方法，其特征在于：利用具有钙钛矿结构的PMNT单晶作为模板，通过反应固相生长工艺制备具有钙钛矿结构的织构化的NKN基无铅压电陶瓷。
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