[发明专利]一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201310126712.3 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103219318A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 潘宏菽;马杰;刘亚男 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容及其制造方法，涉及集成电路以及集成电路的制造方法技术领域。所述电容包括衬底、金属下电极、绝缘介质层和金属上电极，所述金属下电极固定在所述衬底的上表面，所述金属下电极的外侧包裹有绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有贯穿绝缘介质层的金属下电极引出孔，在所述金属下电极引出孔内设有与所述金属下电极固定连接的下电极引出电极，所述金属上电极固定在所述绝缘介质层的上表面。所述制造方法能够避免绝缘介质层受到应力的影响，所述MIM电容具有优良的微波特性和高温工作特性，且易于加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 微波 匹配 晶体 管用 mim 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种耐高温的微波内匹配晶体管用MIM电容，其特征在于包括衬底（1）、金属下电极（2）、绝缘介质层（3）和金属上电极（5），所述金属下电极（2）固定在所述衬底（1）的上表面，所述金属下电极（2）的外侧包裹有绝缘介质层（3），所述绝缘介质层（3）经过高温退火处理且其上设有贯穿绝缘介质层的金属下电极引出孔（9），在所述金属下电极引出孔（9）内设有与所述金属下电极（2）固定连接的下电极引出电极（4），所述金属上电极（5）固定在所述绝缘介质层（3）的上表面。
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