[发明专利]一种双发射区双极型微波功率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310127155.7 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103258737A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘洪军;蒋幼泉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/08 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种双发射区双极型的微波功率晶体管及其制备方法，其特征在于，它采用叉指梳状结构，并且每个单指发射极下方包括两个发射区。本发明的有益效果是，1）减少了热重叠面积，增加了散热面积。2）拓宽了电流的导通路径，降低了导通电阻。3）散热的改善有利于提升器件的热性能与可靠性。4）导通电阻的降低有利于提高器件的工作效率。制作方法对器件获得的良好效果有：1）直流测试结果表明，采用双发射区的器件的集电极大电流数值比相同设计参数的常规器件大10%～20%。2）共基极应用的微波测试结果表明，采用双发射区的器件其顶降、效率等参数都优于常规的双极型器件,尤其在长脉宽条件下，优势更加明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 区双极型 微波 功率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双发射区双极型的微波功率晶体管，其特征在于，它采用叉指梳状结构，并且每个单指发射极下方包括两个发射区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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