[发明专利]一种溶胶式顶栅TFT阵列制造方法

摘要

本发明采用溶胶式试剂作为顶栅TFT阵列的制作材料，通过旋涂的方式将溶胶转移到玻璃基板上，利用光刻的方式直接实现了TFT有源矩阵的有源层、绝缘层、栅极电极层、源漏电极层的图形化转移，采用本方法的TFT有源矩阵制造工艺简单，减少了一次光刻的工艺步骤，同时节省了CVD、PVD等成膜工艺步骤，因此无需CVD以及PVD等大型成膜设备的投入，大幅节约了工艺设备、工艺制造成本的投入。

主权项

一种溶胶式顶栅TFT阵列制造方法，其特征在于，采用溶胶旋涂的方式实现顶栅TFT阵列的源漏电极层、有源层、栅极电极层的图形制作，其制造工艺步骤如下：1）采用旋涂法在清洗洁净的玻璃基板（10）上旋涂有源层溶胶膜（20），使有源层溶胶膜（20）均匀分布在玻璃基板（10）之上；对有源层溶胶膜（20）进行前烘固化，之后图形化处理，得到有源层岛结构（21）；2）旋涂一层绝缘层有机膜（30）作为绝缘层，加热固化，接着进行图形化转移，将有源层岛结构（21）上的绝缘层（31）图形保留，其它地方绝缘层显影去除掉；3）旋涂电极层溶胶膜（40），之后进行图形化处理，湿法刻蚀制得栅极电极层（41）、源极电极层（42）以及漏极电极层（43）。