[发明专利]一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法有效
| 申请号： | 201310127749.8 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103231302A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 朱杰;张志萌;王占山 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/30 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 叶敏华 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，包括以下步骤：(1)使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨；(2)使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光；(3)将晶体表面浸入有机溶剂中，超声处理30-60秒；(4)使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10～15分钟；(5)将晶体置于有机溶剂中超声清洗30-60秒，用高倍显微镜观察晶体表面形貌；(6)若晶体表面仍有划痕，重复步骤(2)～(5)，并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100-300nm的氧化铈抛光液。与现有技术相比，本发明操作简单，加工效率高，便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 光滑 表面 损伤 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)研磨：使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨；(2)粗抛：使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光；(3)刻蚀：将晶体表面浸入有机溶剂中，超声处理30‑60秒；(4)化学机械抛光：使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10～15分钟；(5)检测：将晶体置于有机溶剂中超声清洗30‑60秒，用高倍显微镜观察晶体表面形貌；(6)若晶体表面无划痕，则获得具有超光滑表面低亚表面损伤的晶体；若晶体表面仍有划痕，重复步骤(2)～(5)，并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100‑300nm的氧化铈抛光液。
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