[发明专利]一种直流等离子体温度场约束球化钼粉的设备及方法

摘要

本发明公开了一种直流等离子体温度场约束球化钼粉的设备及方法，该设备包括温度场约束系统和等离子体枪头，温度场约束系统包括温度场约束罐和安装在其顶部的端盖，端盖上安装有工作气体进口，端盖上设有环形端盖冷却腔，温度场约束罐上设有环形罐体冷却腔，温度场约束罐下部设有冷却水/气进口，环形罐体冷却腔通过冷却水/气管道与环形端盖冷却腔连通，环形端盖冷却腔还与冷却水/气出口连通，温度场约束罐上设有送粉管道，送粉管道通过均质混粉分配器将待球化钼粉均匀对撞送入温度场约束罐内，温度场约束罐上设有保护气管道。本发明还提供了采用该设备球化钼粉的方法。采用本发明的设备和方法进行钼粉球化处理，所得钼粉球形度好、球化率高。

主权项

一种直流等离子体温度场约束球化钼粉的设备，其特征在于：包括温度场约束系统和等离子体枪头（8），所述温度场约束系统包括温度场约束罐（1）和固定安装在温度场约束罐（1）顶部的端盖（3），所述等离子体枪头（8）安装在端盖（3）的中心位置处，所述端盖（3）上且位于等离子体枪头（8）的外周安装有工作气体进口（10），所述端盖（3）的中部一周设置有环形端盖冷却腔（11），所述温度场约束罐（1）的主体部分沿圆周方向设置有环形罐体冷却腔（4），所述温度场约束罐（1）的下部设置有与环形罐体冷却腔（4）相连通的冷却水/气进口（6），所述环形罐体冷却腔（4）的上部通过冷却水/气管道（12）与环形端盖冷却腔（11）相连通，所述环形端盖冷却腔（11）还与设置在端盖（3）上的冷却水/气出口（9）连通，所述温度场约束罐（1）的上部且位于端盖（3）下方设置有送粉管道（5），所述送粉管道（5）的出粉口伸入温度场约束罐（1）的内部且位于等离子体枪头（8）的下方，所述送粉管道（5）的数量为多根，多根所述送粉管道（5）均匀设置且通过均质混粉分配器将待球化钼粉均匀对撞送入温度场约束罐（1）的内部，所述温度场约束罐（1）上且位于送粉管道（5）的下方设置有能够使保护气体沿温度场约束罐（1）内壁切向进入的保护气管道（2），所述保护气管道（2）的数量为多根且从多根保护气管道（2）中喷出的保护气体形成螺旋保护气帘。