[发明专利]用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310128198.7 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103236495A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张中华;宋三年;宋志棠;彭程;吕业刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料，其通式为SnxGeyTez，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。与传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜材料相比，该Sn-Ge-Te薄膜材料具有结晶温度高、热稳定性好、数据保持力强和结晶速度快等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sn ge te 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Sn‑Ge‑Te薄膜材料，其特征在于：所述Sn‑Ge‑Te薄膜材料的通式为SnxGeyTez，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。
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