[发明专利]半导体多孔氧化铋纳米球及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201310128516.X | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103253704A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 施伟东;官建国;孙晓莉 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00;B01J23/18;B01J35/10;B01J13/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可见光响应纳米光催化半导体材料的制备方法，其为具有均一多孔结构、尺寸，且具有良好分散性的纳米球，直径为60-120nm，为下述方法所得产物，包括有以下步骤：1)将铋源与去离子水配成溶液，然后向溶液中加入表面活性剂；2）将双氧水加入到步骤1）所得混合溶液中，得到的溶液转入反应釜中，反应，得到土黄色前驱体溶液；3）将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤，并置于烘箱中烘干；4）将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中，煅烧，即得。本发明的有益效果是：该材料作为降解污染物材料，表现出优异的降解性能、较窄的能带间隙和较好的循环稳定性。本发明工艺简单，符合绿色化学的要求，利于市场化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 多孔 氧化 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
半导体多孔氧化铋纳米球，其为具有均一多孔结构、尺寸，且具有良好分散性的纳米球，直径为60‑120nm，为下述方法所得产物，包括有以下步骤：1）将铋源与去离子水配成溶液，然后向溶液中加入表面活性剂，铋源与表面活性剂的摩尔比为1:3‑1:4，混合均匀；2）将0.5‑1.5ml双氧水加入到25‑35ml步骤1）所得混合溶液中，得到的溶液转入反应釜中，在180‑220℃反应5‑10小时，得到土黄色前驱体溶液；3）将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤，并置于60℃烘箱中使其完全烘干；4）将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中，在空气氛围中400‑900℃下煅烧1‑5小时，得到黄色粉末即为半导体多孔氧化铋纳米球。
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