[发明专利]一种低羟基实心石英砣的制备方法有效
| 申请号： | 201310128606.9 | 申请日： | 2013-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103265162A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张锦;王春玲;谷巨明;秦卫光;孙丽丽;李文彦;刘晓光;张春林 | 申请（专利权）人： | 久智光电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低羟基实心石英砣的制备方法，属石英玻璃熔制技术领域。它是用等离子体装置作为热源，取代传统气炼制砣设备中的氢氧焰燃烧器，将石英粉料送入等离子体装置中或通过下料管进入火焰区，喷洒到石英玻璃靶托上，通过石英靶托的匀速旋转和下降运动，使靶面与等离子火焰头保持恒定的距离，并始终处于最高温度区，从而使粉料不断熔化，再经冷却成为实心玻璃砣。本发明所制备的石英砣较传统气炼砣产品具有纯度高、羟基含量低、软化点高、耐温性能好、强度高等特点，可广泛用于各种高性能石英制品要求的高科技领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 实心 石英 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低羟基实心石英砣的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）采用等离子体装置产生的火焰作为熔制石英玻璃的热源；等离子体装置放置在熔炉顶部，熔制温度即石英砣表面的温度为1800℃～2500℃；（2）将送入等离子体装置或通过下料管进入火焰区的石英粉料喷洒到石英玻璃靶托上，在等离子火焰加热下，不断熔化成玻璃态，在靶托上开始堆积熔体；石英玻璃靶托顶部位于等离子火焰高温区，靶托一面按照4‑10转/分的转速匀速旋转，一面下降，下降速度：0.2‑1.0mm/min，并且保证等离子体焰炬与石英玻璃靶托顶部距离为20‑100mm；（3）熔化的石英在离开高温区后逐渐冷却成为柱状固体石英砣。
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