[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

本发明提出一种浅沟槽隔离结构的形成方法，形成第二浅沟槽隔离沟道后保留光阻层，借着光阻层对第一浅沟槽隔离沟道的遮挡继续进行第一次回拉刻蚀，暴露出第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，之后去除光阻层，再对半导体衬底进行第二次回拉刻蚀，暴露出第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，这样便能平衡第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道的回拉刻蚀程度，使第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层暴露更多并且变的更加圆滑，使后续形成在边角处的栅极氧化层可长得更厚，提高了击穿电压；同时保证第一浅沟槽隔离沟道的边角暴露的不会过多，防止在后续形成隧穿氧化层的时候消耗过多边角处的半导体衬底而降低了有效区域的面积。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体包括第一区域和第二区域，在所述半导体衬底上依次形成介质层以及掩膜层；刻蚀第一区域的掩膜层、介质层以及半导体衬底，形成第一浅沟槽隔离沟道；在所述掩膜层的表面以及所述第一浅沟槽隔离沟道内形成光阻层，所述第一浅沟槽隔离沟道内的光阻层遮挡住所述掩膜层和介质层；图形化所述第二区域的光阻层；以图形化后的光阻层作为掩膜依次刻蚀第二区域的所述掩膜层、介质层以及半导体衬底，形成第二浅沟槽隔离沟道，所述第二浅沟槽隔离沟道的最大横截面宽度大于所述第一浅沟槽隔离沟道的最大横截面宽度；对所述第二浅沟槽隔离沟道进行第一回拉刻蚀，刻蚀所述第二区域的掩膜层，暴露出所述第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层；去除所述光阻层；对所述半导体衬底进行第二回拉刻蚀，刻蚀所述掩膜层，暴露出所述第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层；在所述第一浅沟槽隔离沟道和第二浅沟槽隔离沟道中填充浅沟槽隔离物。