[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310130609.6 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104112777B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 邹渊;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括一绝缘层，该绝缘层具有相对的第一表面和第二表面；一栅极设置于所述绝缘层的第一表面；一半导体层、一源极和一漏极设置在所述绝缘层的第二表面，该源极和该漏极相互间隔设置且分别与所述半导体层电接触，其中，所述栅极、所述源极和所述漏极均由一第一单壁碳纳米管层组成，该第一单壁碳纳米管层的薄膜电阻小于等于10kΩ/□，所述半导体层由一第二单壁碳纳米管层组成，该第二单壁碳纳米管层的薄膜电阻大于等于100kΩ/□。本发明还提供所述薄膜晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：一绝缘层，该绝缘层具有相对的第一表面和第二表面；一栅极设置于所述绝缘层的第一表面；一半导体层、一源极和一漏极设置在所述绝缘层的第二表面，该源极和该漏极相互间隔设置且分别与所述半导体层电接触；其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均由一第一单壁碳纳米管层组成，该第一单壁碳纳米管层的薄膜电阻小于等于10kΩ/□；所述半导体层由一第二单壁碳纳米管层组成，该第二单壁碳纳米管层由多个单壁碳纳米管组成，该第二单壁碳纳米管层中的多个单壁碳纳米管的分布密度小于等于1根/平方微米，该第二单壁碳纳米管层的薄膜电阻大于等于100kΩ/□，所述多个单壁碳纳米管不含有官能团；所述半导体层包括一沟道区域，该沟道区域的长度L与宽度W的比值大于1。
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